電路如圖所示。電路參數(shù)為：－V_CC=－12V、R_C=2kΩ、R_B=360kΩ；晶體管T為鍺管，其β=60、r_bb’=300Ω；電容器C₁=C₂=10μF、負(fù)載電阻R_L=2kΩ。試求：
（1）電路的靜態(tài)工作點(diǎn)I_BQ、I_CQ及U_CEQ值；
（2）電路的動(dòng)態(tài)指標(biāo)A_u、R_i、R_o及U_opp值。

下圖為一個(gè)放大電路的交流通路。試在下列三種情況下寫出電壓放大倍數(shù)A_u、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o的表達(dá)式：
（1）U₂=0，信號(hào)U₁從基極輸入，放大后從集電極輸出；
（2）U₂=0，信號(hào)U₁從基極輸入，放大后從發(fā)射極輸出；
（3）U₁=0，信號(hào)U₂從發(fā)射極輸入，放大后從集電極輸出。

放大電路如圖（a）所示，晶體管的輸出特性和交、直流負(fù)載線如圖（b）所示。已知U_BE=0.6V，r_bb=300Ω。試求：
（1）電路參數(shù)R_B、R_C、R_L的數(shù)值。
（2）在輸出電壓不產(chǎn)生失真的條件下，最大輸入電壓的峰值。

電路如圖所示。晶體管T為3DG4A型硅管，其、r_bb’=80Ω。電路中的V_CC=24V、R_B=96kΩ、R_C=R_E=2.4kΩ、電容器C₁、C₂、C₃的電容量均足夠大、正弦波輸入信號(hào)的電壓有效值U_i=1V。試求：
（1）輸出電壓U_o1、U_o2的有效值；
（2）用內(nèi)阻為10kΩ的交流電壓表分別測(cè)量u_o1、u_o2時(shí)，交流電壓表的讀數(shù)各為多少？

單級(jí)放大電路如圖所示，已知V_cc=15V，r_bb=300Ω，β=100，U_BE=0.7V，R_B1此時(shí)調(diào)到49kΩ，R_B1=30kΩ，R_E=R_C=R_L=2kΩ.C₁=C₂=10μF，C_E=47μF，C_L=1600μF，晶體管飽和壓降U_CES為1V，晶體管的結(jié)電容可以忽略。試求：
（1）靜態(tài)工作點(diǎn)I_CQ，U_CEQ：
（2）中頻電壓放大倍數(shù)A_M、輸出電阻R₀、輸入電阻R₁；
（3）估計(jì)上限截止頻率F_H和下限截止頻率F_L；
（4）動(dòng)態(tài)范圍U_OPP=？輸入電壓最大值U_ip=？
（5）當(dāng)輸入電壓U_i的最大值大于U_ip時(shí)將首先出現(xiàn)什么失真？