A.絕緣子表面放電模型
B.絕緣子內(nèi)部缺陷模型
C.電暈放電模型
D.尖端放電模型
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A.頻率范圍
B.測(cè)量量程
C.準(zhǔn)確率
D.誤差
A.光測(cè)法
B.聲測(cè)
C.紅外熱測(cè)法
D.介質(zhì)損耗分析法
A.可行，建議大面積推廣
B.不可行，放電模型不具有普遍性
C.有一定的參考價(jià)值
D.以上答案都不對(duì)
A.尖端放電
B.表面放電
C.內(nèi)部放電
D.懸浮電極放電
A.某一開關(guān)柜趨勢(shì)變化數(shù)據(jù)
B.開關(guān)室內(nèi)一組開關(guān)柜的同一次數(shù)據(jù)檢測(cè)
C.符合一定條件的樣本數(shù)據(jù)
D.某一開關(guān)柜的當(dāng)次檢測(cè)數(shù)據(jù)
最新試題
對(duì)于運(yùn)行年限超過（）的GIS設(shè)備，宜考慮縮短GIS局部放電超聲波檢測(cè)周期。
超聲波法對(duì)異常測(cè)試點(diǎn)，應(yīng)在該異常點(diǎn)附近進(jìn)行多點(diǎn)檢測(cè)，查找信號(hào)最大點(diǎn)的位置并至少保存（）組檢測(cè)數(shù)據(jù)。
自由金屬微粒產(chǎn)生的超聲波信號(hào)主要由運(yùn)動(dòng)過程中與設(shè)備外殼的碰撞引起，而與放電關(guān)聯(lián)較（）。
對(duì)于運(yùn)行中的 GIS 設(shè)備,檢測(cè)到顆粒信號(hào)的幅值為；Vpeak>3.16mV，則（）。
GIS局部放電超聲波檢測(cè)無(wú)異常的GIS測(cè)量結(jié)果，應(yīng)該與背景接近，（）相關(guān)性（一個(gè)工頻周期出現(xiàn)1次/2次放電的概率）信號(hào)基本為零或與背景接近。
新投運(yùn)設(shè)備應(yīng)在（）個(gè)月內(nèi)做一次SF6濕度檢測(cè)，若接近注意值，（）個(gè)月后應(yīng)再做一次。
以下電氣設(shè)備中SF6氣體濕度檢測(cè)基準(zhǔn)周期最長(zhǎng)的是（）。
GIS局部放電超聲波檢測(cè)結(jié)果，判斷為自由顆粒缺陷的依據(jù)是（）。
有（）旋鈕的SF6濕度檢測(cè)儀器，在通流前應(yīng)將旋鈕放置到正常測(cè)量位置。
GIS超聲波局部放電檢測(cè)儀器的使用條件中環(huán)境相對(duì)濕度在（）。