單項選擇題單晶硅半導體的禁帶寬度為1.10eV,等效狀態(tài)密度N=1.0×1019/cm3,求在273K時該半導體中的本征載流子濃度ni為()。

A.1.34×109/cm3
B.6.7×108/cm3
C.2.2×109/cm3
D.1.1×109/cm3


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4.單項選擇題量子自由電子學說認為自由電子的行為服從()。

A.Bose-Einstein統(tǒng)計規(guī)律
B.無規(guī)律
C.Fermi-Dirac統(tǒng)計規(guī)律
D.Maxwell-Boltzmann統(tǒng)計規(guī)律

5.單項選擇題霍爾系數(shù)只與金屬中的()有關(guān)。

A.自由電子密度
B.費密分布函數(shù)
C.費密能級
D.費密溫度