單項(xiàng)選擇題DL/T5069-96規(guī)定，底片上必須顯示出與象質(zhì)指數(shù)對(duì)應(yīng)的最小鋼絲線徑。I型應(yīng)顯示（）。
A.一根
B.兩根
C.三根
D.三根及三根以上
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1.單項(xiàng)選擇題減小射線照相固有不清晰度的方法之一是（）。
A.增大焦距
B.減小曝光量
C.減小射線強(qiáng)度
D.減小射線能量
2.單項(xiàng)選擇題膠片特性曲線上，過(guò)兩個(gè)特定點(diǎn)的直線斜率是表征（）。
A.工件反差
B.底片反差
C.膠片反差
D.靈敏度
3.單項(xiàng)選擇題配制顯影液時(shí)水溫不得高于（）。
A.30℃
B.40℃
C.50℃
D.60℃
4.單項(xiàng)選擇題使入射射線強(qiáng)度衰減一半所需物質(zhì)厚度，稱為（）。
A.半衰期
B.電子層
C.半價(jià)層
最新試題
什么叫做試驗(yàn)線圈的視在阻抗？它在渦流檢測(cè)中有何作用？
題型：?jiǎn)柎痤}
渦流的相似定律是什么？在渦流檢測(cè)中有何作用？
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寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。
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新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時(shí)隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時(shí)，對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？
題型：?jiǎn)柎痤}
圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來(lái)測(cè)定（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
簡(jiǎn)述滲透探傷方法的選擇原則。
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一個(gè)實(shí)心非磁性棒的阻抗圖中，界限頻率fg用哪一個(gè)公式計(jì)算（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定磁軛的磁極間距應(yīng)控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
渦流試驗(yàn)時(shí)，試樣中的電磁場(chǎng)是由（）表示的。
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對(duì)觀片燈有哪些基本要求？
題型：?jiǎn)柎痤}