放大電路如圖所示。已知:β=20,RB=200Ω,VCC=20V,RB1=RB2=24kΩ,RC=1kΩ,UBE=0.7V,rbb′=200Ω。VDZ為理想的硅管穩(wěn)壓二極管,其穩(wěn)壓值UDZ=6V。
(1)計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)的ICQ和UCEQ;
(2)求電壓的放大倍數(shù)Au和輸入電阻Ri;
(3)若VDZ極性接反,電路能否正常放大?試計(jì)算此時(shí)靜態(tài)工作點(diǎn),并定性分析VDZ反接對(duì)Au和Ri的影響。
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試判斷如圖各電路是否能夠放大電路信號(hào)。
電路參數(shù)如圖所示。設(shè)FET的參數(shù)為gm=0.8mS,rd=200Ω,3AG29(VT2)的β=40,rbe=1kΩ。試求放大電路的電壓增益和輸入電阻Ri。
最新試題
與混頻前的高頻相比中頻信號(hào)的()未發(fā)生變化。
如圖所示電路,晶體管的β=100,rbe=1kΩ,Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V,試求Rb阻值。2.若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV,求負(fù)載電阻RL大小。
采用分壓式偏置電路后,()基本不隨溫度變化。
當(dāng)()變化時(shí),積分器電路的反饋量會(huì)發(fā)生變化。
場(chǎng)效應(yīng)管的工作是通過(guò)()實(shí)現(xiàn)的。
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是()
無(wú)線電波中的電場(chǎng)與磁場(chǎng)的夾角應(yīng)為()。
過(guò)壓狀態(tài)的工作特性是()
哪一種信號(hào)可產(chǎn)生電磁波?()
N溝道和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管所加的柵極控制電壓均為()。