單項選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
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1.單項選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時
B.短路時
C.順向偏壓時
D.逆向偏壓時
2.單項選擇題一般硅質(zhì)二極管導(dǎo)通時，兩端的電位差為？（）
A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V
3.單項選擇題稽納二極管順向?qū)妷簽椋浚ǎ?/a>
A.0.6V
B.3V
C.6V
D.10V
4.單項選擇題N型半導(dǎo)體內(nèi)的電洞為（）
A.少數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
B.少數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
C.多數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
D.多數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
5.單項選擇題一般PN二極管兩端的順向偏壓隨溫度的變化量約為（）
A.-2.5mV/℃
B.-25mV/℃
C.+2.5mV/℃
D.+25mV/℃
E..+0.25mV/℃。
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低頻功率放大器的基本要求通常不包括以下哪一項？（）
題型：單項選擇題
如何使用555時基電路構(gòu)成多諧振蕩器？（）
題型：單項選擇題
在負反饋放大電路中，若要使輸出信號的幅度增大，應(yīng)該如何調(diào)整反饋電路？（）
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下列哪項描述最符合傳感器的定義？（）
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74LS194如何用作計數(shù)器？（）
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下列關(guān)于與門電路（AND Gate）的描述中，哪一項是正確的？（）
題型：單項選擇題
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