A.顴弓中點(diǎn)下緣乙狀切跡處
B.枕外粗隆外下左右1.5cm處左右
C.乳突與枕外粗隆連線上方2cm處
D.外耳道孔送入接觸到鼓膜
E.咽穹窿項(xiàng)部
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A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.3分鐘
B.1分鐘
C.15~20分鐘
D.>3分鐘
E.5分鐘
A.3分鐘
B.1分鐘
C.15~20分鐘
D.>3分鐘
E.5分鐘
最新試題
患兒男,8月齡。半歲時(shí)出現(xiàn)頻繁發(fā)作性癥狀,智能體格發(fā)育遲滯。家族史正常。出生有窒息史。腦電圖特征為背景活動(dòng)紊亂,不規(guī)則不同步高波幅慢波活動(dòng),以及多灶性尖慢波活動(dòng)。最可能的疾病是()。
發(fā)作間期頭皮腦電圖很難發(fā)現(xiàn)某些腦區(qū)起源癇樣放電,這些腦區(qū)通常不包括()。
癇性痙攣發(fā)作常出現(xiàn)在() 。
通常情況下與臨床癲癇明顯相關(guān)的“棘波”是()。
電靜息的描記技術(shù)要求不包括()。
監(jiān)測(cè)發(fā)作期腦電圖時(shí)采用多導(dǎo)生理監(jiān)測(cè)中不包括()。
顱骨缺損患者的波形為()。
關(guān)于兒童失神癲癇的腦電圖表現(xiàn),錯(cuò)誤的是()。
對(duì)成人癲癇患者而言,在頭皮腦電圖中最容易出現(xiàn)癇樣放電的部位是()。
顳葉海馬硬化患者發(fā)作期頭皮腦電圖最易出現(xiàn)的節(jié)律是()。