單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN，斷路時(shí)出現(xiàn)空乏區(qū)是為了（）
A.制止擴(kuò)散電流
B.制止漂移電流
C.增加擴(kuò)散電流
D.增加漂移電流，以達(dá)熱平衡
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1.單項(xiàng)選擇題光電二極管之逆向電流與入射光強(qiáng)度成（）
A.正比
B.平方成正比
C.立方成正比
D.平方成反比
2.單項(xiàng)選擇題二極管由P型材料與N型材料接合而成，當(dāng)二極管被反偏時(shí)的電流稱(chēng)為逆向飽和電流，逆向飽和電流的大小主要與下列何者有關(guān)？（）
A.二極管所在環(huán)境的溫度
B.反向偏壓的大小
C.加反向偏壓的時(shí)間
D.與反向偏壓的大小、加反向偏壓的時(shí)間同時(shí)有關(guān)
3.單項(xiàng)選擇題以GaAs為材料作之晶體管比Si材料作之晶體管，能在較高頻率使用，主要是因?yàn)椋ǎ?/a>
A.濃度較高
B.帶電量較大
C.移動(dòng)率較快
D.以上皆非
4.單項(xiàng)選擇題
如圖所示，二極管并聯(lián)可增加耐流能力，而每一二極管又串聯(lián)一電阻R的目的是（）
A.限流
B.平衡兩二極管通過(guò)之電流
C.增加二極管耐壓能力
D.降低二極管消耗之功率
E.提升二極管之整流效率
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