單項(xiàng)選擇題在純硅晶體中,摻入施體雜質(zhì),則()
A.電子數(shù)目減少
B.電洞數(shù)目減少
C.此施體雜質(zhì)是三價(jià)元素
D.導(dǎo)電率變差
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1.單項(xiàng)選擇題
二極管的順向?qū)娏鞣匠淌綖??(?br />
A.(1)
B.(2)
C.(3)
D.(4)
2.單項(xiàng)選擇題下列何者具負(fù)電阻特性?()
A.稽納二極管
B.透納二極管
C.蕭特基二極管
D.恒流二極管
3.單項(xiàng)選擇題
如圖所示的符號(hào)為何種組件()
A.隧道二極管
B.稽納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.PN二極管
4.單項(xiàng)選擇題二極管接逆向偏壓時(shí),存在一個(gè)逆向飽和電流Is,關(guān)于Is的敘述下列何者正確?()
A.與溫度成正比
B.與溫度成反比
C.與逆向偏壓成正比
D.與順向偏壓成正比
5.單項(xiàng)選擇題若有一硅二極管,常溫(25℃)時(shí)逆向飽和電流Io為10 A,則75℃時(shí)其漏電流為()
A.0.03mA
B.0.05mA
C.0.32mA
D.0.5mA
最新試題
555時(shí)基電路的主要功能不包括以下哪項(xiàng)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)描述是RS觸發(fā)器的一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列關(guān)于與門電路(AND Gate)的描述中,哪一項(xiàng)是正確的?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如何使用555時(shí)基電路構(gòu)成多諧振蕩器?()
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關(guān)于RC正弦波振蕩器的說(shuō)法,正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
或門電路(OR Gate)的邏輯功能可以描述為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
非門電路(NOT Gate)的主要功能是什么?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題