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問答題已知某耗盡型MOS管的夾斷電壓U_P=-2.5V，飽和漏極電流I_DSS=0.5mA，求U_GS=-1V時的漏極電流I_D和跨導g_m。

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1.問答題 在如圖所示的電路中，三極管的β為50，設(shè)三極管的U_BE=0.7V，+V_CC=+15V，R_b=475kΩ，R_c=3kΩ求電路的靜態(tài)工作點I_BQ、I_CQ、U_CEQ。

2.問答題設(shè)N溝道增強型MOSFET的參數(shù)為V_T＝1V，W＝100μm，L＝5μm，μ_n＝650cm²／V·s，C_ox＝76.7×10^-9F／cm²。當V_GS＝2V_T，MOSFET工作在飽和區(qū)，試計算此時場效應管的工作電流I_D。

參考答案：

3.問答題已知P溝道耗盡型MOSFET的參數(shù)為K_P＝0.2mA／V²，V_P＝0.5V，i_D＝－0.5mA（假定正向為流進漏極）。試求此時的預夾斷點柵源電壓v_GS和漏源電壓v_DS等于多少？

參考答案：

4.問答題設(shè)計一穩(wěn)壓管并聯(lián)式穩(wěn)壓電路，要求輸出電壓V_o＝4V，輸出電流I_o＝15mA，若輸入直流電壓V_I＝6V，且有10％的波動。試選用穩(wěn)壓管型號和合適的限流電阻值，并檢驗它們的功率定額。

參考答案：

5.問答題 電路如圖所示，D為硅二極管，V_DD＝2V，R＝1kΩ，正弦信號v_s＝50sin（2π×50t）mV。
（1）靜態(tài)（即v_s＝0）時，求二極管中的靜態(tài)電流和v_o的靜態(tài)電壓；
（2）動態(tài)時，求二極管中的交流電流振幅和v_o的交流電壓振幅；
（3）求輸出電壓v_o的總量。

參考答案：