填空題單MOS 管型記憶單元，若讀出信息是“1”時，為破壞性讀出，讀出后需要有（）過程。
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計算機性能的提高，除依賴電子元器件的變革外，系統(tǒng)結構上引入了不同等級的（）也起到了重要作用。
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