單項(xiàng)選擇題放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的根本原因是（）。

A.放大倍數(shù)太大。
B.環(huán)境溫度引起的晶體管參數(shù)的變化。
C.采用了直接耦合方式。
D.晶體管具有非線性并且噪聲太大。


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1.單項(xiàng)選擇題?PN結(jié)的反向飽和電流與下列哪些載流子有關(guān)（）。

A.少數(shù)載流子
B.多數(shù)載流子
C.少數(shù)載流子和多數(shù)載流子
D.以上都不對(duì)

2.單項(xiàng)選擇題?PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，正確的說(shuō)法是（）。

A.N區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)正離子是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
B.N區(qū)內(nèi)的多子電子是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
C.P區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)負(fù)離子是逆著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
D.P區(qū)內(nèi)的多子空穴是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)

3.單項(xiàng)選擇題?PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，下面正確的說(shuō)法是（）。

A.N區(qū)的空穴與P區(qū)的電子形成的電流，稱(chēng)為反向電流
B.N區(qū)的空穴與P區(qū)的電子都遠(yuǎn)離空間電荷區(qū)，使空間電荷區(qū)變寬
C.N區(qū)的電子與P區(qū)的空穴都靠近空間電荷區(qū)，使空間電荷區(qū)變寬
D.N區(qū)的電子與P區(qū)的空穴形成的電流，稱(chēng)為反向電流

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于差模信號(hào)和共模信號(hào)，?以下說(shuō)法哪種正確？（）

A.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越小，共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越大，共模抑制比越大
B.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越大，共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越大，共模抑制比越大
C.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越小，共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越小，共模抑制比越大
D.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越大，共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越小，共模抑制比越大