国产精品福利久久香蕉中文,亚洲欧洲日本精品专线

問答題設硅中施主雜質電離能ΔE_D=0.04eV，施主雜質濃度N_D=10¹⁶/cm³，以施主雜質電離90%作為達到強電離的最低標準，試計算保持飽和雜質電離的溫度范圍。

參考答案：

您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.問答題設鍺中施主雜質的電離能ΔE_D=0.01eV，在室溫下導帶底有效狀態(tài)密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主雜質電離90%作為電離的標準，試計算在室溫（T=300K）時保持雜質飽和電離的施主雜質濃度范圍。

參考答案：

2.問答題一硅半導體含有施主雜質濃度N_D=9×10¹⁵/cm³，和受主雜質濃度N_A=1.1×10¹⁶/cm³，求在T=300K時（n_i=1.3×10¹⁰/cm³）的電子空穴濃度以及費米載流了濃度。

參考答案：

3.問答題一塊n型硅材料，摻有施主濃度N_D=1.5×10¹⁵/cm³，在室溫（T=300K）時本征載流濃度n_i=1.3×10¹²/cm³，求此時該塊半導體的多數(shù)載流子濃度和少數(shù)載流子濃度。

參考答案：

4.問答題 本征半導體中，從價帶激發(fā)至導帶的電子和價帶產生的空穴參與電導。激發(fā)的電子數(shù)n可近似表示為：，式中N為狀態(tài)密度，k為波爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度。試回答以下問題：
（1）設N=10²³cm^-3，k=8.6″×10^-5eV.K^-1時， Si（Eg=1.1eV），TiO₂（Eg=3.0eV）在室溫（20℃）和500℃時所激發(fā)的電子數(shù)（cm^-3）各是多少？
（2）半導體的電導率σ（Ω^-1.cm^-1）可表示為，式中n為載流子濃度（cm^-3），e為載流子電荷（電荷1.6×10^-19C），μ為遷移率（cm².V^-1.s^-1）當電子（e）和空穴（h）同時為載流子時，
假定Si的遷移率μe=1450（cm².V^-1.s^-1），μ_h=500（cm².V^-1.s^-1），且不隨溫度變化。求Si在室溫（20℃）和500℃時的電導率。

參考答案：

5.問答題 根據(jù)缺陷化學原理推導
（1）ZnO電導率與氧分壓的關系。
（2）在具有陰離子空位TiO_2-x非化學計量化合物中，其電導率與氧分壓的關系。
（3）在具有陽離子空位Fe_1-xO非化學計量化合物中，其電導率與氧分壓的關系。
（4）討論添加Al₂O₃對NiO電導率的影響。

參考答案：