A.平面波
B.球面波
C.活塞波
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A.大于
B.等于
C.小于
A.大于
B.等于
C.小于
A.是粘度的函數(shù),并隨表面張力的減小而增大
B.用接觸角表示,與表面張力無關(guān)
C.用接觸角度衡量,并隨表面張力增大而減小
D.用表面張力度量,并隨接觸角減小而增大
A.大直徑高頻率探頭
B.小直徑高頻探頭
C.大直徑低頻率探頭
D.以上A和B
A.細(xì)晶組織;
B.耦合劑不清潔;
C.表面粗糙;
D.粗晶組織
最新試題
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會(huì)使定量誤差增加,精度下降。
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測量,測試時(shí)儀器抑制置“零”或“開”位,必要時(shí)可加匹配線圈。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。
爬波在自由表面的位移有垂直分量,但不是純粹的表面波。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進(jìn)入試件的檢測的方法。
對(duì)于橫波斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同,因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。
在檢測晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。