A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長(zhǎng)1/10時(shí)對(duì)探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對(duì)探傷的影響
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A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
A、按振動(dòng)方向分,板波可分為SH波和蘭姆波,探傷常用的是蘭姆波
B、板波聲速不僅與介質(zhì)特性有關(guān),而且與板厚、頻率有關(guān)
C、板波聲速包括相速度和群速度兩個(gè)參數(shù)
D、實(shí)際探傷應(yīng)用時(shí),只考慮相速度,無須考慮群速度
A.增大
B.不變
C.減少
D.以上都不對(duì)
A、C1>C2
B、C1
D、Z1=Z2
A、在有機(jī)玻璃斜楔塊中產(chǎn)生
B、從晶片上直接產(chǎn)生
C、在有機(jī)玻璃與耦合層界面上產(chǎn)生
D、在耦合層與鋼板界面上產(chǎn)生
最新試題
超聲檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度余量()。
()可以檢測(cè)出與探測(cè)面相垂直的面狀缺陷。
直接接觸法是指探頭與工件之間()。
單探頭法容易檢出()。
()主要用于表面光滑工件的表面和近表面缺陷檢測(cè)。
超聲檢測(cè)對(duì)缺陷定位時(shí),()不是影響缺陷定位的主要因素。
()可以檢測(cè)出與探測(cè)面垂直的橫向缺陷。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測(cè),儀器顯示缺陷的聲程為S,則缺陷的水平距離l為()。
超聲波儀時(shí)基線的水平刻度與實(shí)際聲程成正比的程度,即()。
縱波直探頭徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱時(shí),在第一次底波之后,還有2個(gè)特定位置的反射波,這種波是()。