單項選擇題小腦電極的放置位置是（）。
A.顴弓中點下緣乙狀切跡處
B.枕外粗隆外下左右1.5cm處左右
C.乳突與枕外粗隆連線上方2cm處
D.外耳道孔送入接觸到鼓膜
E.咽穹窿項部
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1.單項選擇題蝶骨電極的放置位置是（）。
A.顴弓中點下緣乙狀切跡處
B.枕外粗隆外下左右1.5cm處左右
C.乳突與枕外粗隆連線上方2cm處
D.外耳道孔送入接觸到鼓膜
E.咽穹窿項部
2.單項選擇題光敏性癲癇最有可能的改變?yōu)椋ǎ?/a>
A.單眼P100絕對潛伏期延長
B.雙眼P100潛伏期延長，程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
3.單項選擇題視交叉病變最有可能的改變?yōu)椋ǎ?/a>
A.單眼P100絕對潛伏期延長
B.雙眼P100潛伏期延長，程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
4.單項選擇題脫髓鞘病變的VEP最有可能的改變?yōu)椋ǎ?/a>
A.單眼P100絕對潛伏期延長
B.雙眼P100潛伏期延長，程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
5.單項選擇題過度換氣后應(yīng)繼續(xù)記錄的時間是（）。
A.3分鐘
B.1分鐘
C.15～20分鐘
D.＞3分鐘
E.5分鐘
最新試題
睡眠紡錘波最早出現(xiàn)的年齡段是（）。
題型：單項選擇題
全面強直陣攣發(fā)作持續(xù)時間約為（）。
題型：單項選擇題
一例兒童失神癲癇患者在服用某種抗癲癇藥物后復(fù)查腦電圖完全正常，則下列最可能出現(xiàn)這種效果的藥物是（）。
題型：單項選擇題
硬膜外血腫的腦電圖可見（）。
題型：單項選擇題
肌陣攣失神發(fā)作時腦電圖特征為（）。
題型：單項選擇題
患兒男，8月齡。半歲時出現(xiàn)頻繁發(fā)作性癥狀，智能體格發(fā)育遲滯。家族史正常。出生有窒息史。腦電圖特征為背景活動紊亂，不規(guī)則不同步高波幅慢波活動，以及多灶性尖慢波活動。最可能的疾病是（）。
題型：單項選擇題
腦電圖上心電偽跡常表現(xiàn)為（）。
題型：單項選擇題
睡眠潛伏期的腦電圖特點是（）。
題型：單項選擇題
皮質(zhì)發(fā)育不良發(fā)作期最易出現(xiàn)的節(jié)律是（）。
題型：單項選擇題
臨床上最常見的部分性發(fā)作起源于（）。
題型：單項選擇題