久久99re热在线观看视频,俺也去电影网

問答題本征硅在室溫時電子和空穴遷移分別為1350cm²/V.s和500cm²/V.s，當摻入百萬分之一的A_s后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計算其電導率比本征硅的電導率增大了多少倍？

1.問答題300K時，鍺的本征電阻率為47Ω.cm，如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征鍺的載流子濃度。

2.問答題設(shè)硅中施主雜質(zhì)電離能ΔE_D=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度N_D=10¹⁶/cm³，以施主雜質(zhì)電離90%作為達到強電離的最低標準，試計算保持飽和雜質(zhì)電離的溫度范圍。

3.問答題設(shè)鍺中施主雜質(zhì)的電離能ΔE_D=0.01eV，在室溫下導帶底有效狀態(tài)密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主雜質(zhì)電離90%作為電離的標準，試計算在室溫（T=300K）時保持雜質(zhì)飽和電離的施主雜質(zhì)濃度范圍。

4.問答題一硅半導體含有施主雜質(zhì)濃度N_D=9×10¹⁵/cm³，和受主雜質(zhì)濃度N_A=1.1×10¹⁶/cm³，求在T=300K時（n_i=1.3×10¹⁰/cm³）的電子空穴濃度以及費米載流了濃度。

5.問答題一塊n型硅材料，摻有施主濃度N_D=1.5×10¹⁵/cm³，在室溫（T=300K）時本征載流濃度n_i=1.3×10¹²/cm³，求此時該塊半導體的多數(shù)載流子濃度和少數(shù)載流子濃度。