單項選擇題晶體管放電路之功率增益為AP，電壓增益為AV，電流增益為AI，三者之關系為AP=AV·AI，試問下列何種電路何功率增益AP最高？（）

A.共基極放大電路
B.共射極放大電路
C.共集極放大電路
D.以上皆是


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2.單項選擇題有關雙極性接面晶體管（BJT）特性之敘述，下列何者有誤？（）

A.BJT為電流控制組件
B.NPN型BJT正常工作時，流通之多數(shù)載子為電子
C.BJT用于線性放大時，基射極需接反偏，基集極接順偏
D.不可以二個頭或尾對接之二極管來代替BJT組件使用

3.單項選擇題某晶體管之β值為99，則其α值應為？（）

A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995

4.單項選擇題下列有關MOSFET之敘述，何者有誤？（）

A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO2）
D.與增強型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)

5.單項選擇題JFET之工作原理是控制（）

A.通道中載子的濃度
B.通道之導電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度