單項選擇題下列有關MOSFET之敘述，何者有誤？（）

A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO2）
D.與增強型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項選擇題JFET之工作原理是控制（）

A.通道中載子的濃度
B.通道之導電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度

2.單項選擇題通常接面場效晶體管（JFET）輸入阻抗大是因為（）

A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應
C.溫度效應
D.閘極使用順向偏壓

3.單項選擇題

右圖中，若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE（SAT）=0.2V，β=50，則此晶體管工作于？（）

A.作用區(qū)（順向主動區(qū)）
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉區(qū)（逆向主動區(qū)）

5.單項選擇題加強型場效晶體管，在常態(tài)中（）

A.有PN接面有逆向電流
B.無PN接面有逆向電流
C.無PN接面無逆向電流
D.有PN接面無逆向電流