單項(xiàng)選擇題
右圖中，若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE（SAT）=0.2V，β=50，則此晶體管工作于？（）
A.作用區(qū)（順向主動(dòng)區(qū)）
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉(zhuǎn)區(qū)（逆向主動(dòng)區(qū)）
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1.單項(xiàng)選擇題有一空乏型（Depletion）MOSFET之IDSS=12mA，VP=－4.8V，求VGS=－2.4V時(shí)，ID=？（）
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
2.單項(xiàng)選擇題加強(qiáng)型場(chǎng)效晶體管，在常態(tài)中（）
A.有PN接面有逆向電流
B.無PN接面有逆向電流
C.無PN接面無逆向電流
D.有PN接面無逆向電流
3.單項(xiàng)選擇題晶體管共集極電路之特性為（）
A.電流增益小
B.電壓增益大
C.功率增益大
D.相移為0°
4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于BJT和FET的特性敘述，下列何者為非？（）
A.BJT是雙載子組件，而FET是單載子組件
B.在IC的制作上，BJT比FET占較大的面積
C.BJT與FET都是電壓控制組件
D.一般而言，F(xiàn)ET作為放大器產(chǎn)生的噪聲較低
5.單項(xiàng)選擇題
如圖放大器的輸入與輸出相位（）
A.相同
B.相差180°
C.接近180°
D.大于180°
最新試題
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