A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓
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右圖中,若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE(SAT)=0.2V,β=50,則此晶體管工作于?()
A.作用區(qū)(順向主動(dòng)區(qū))
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉(zhuǎn)區(qū)(逆向主動(dòng)區(qū))
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
A.有PN接面有逆向電流
B.無(wú)PN接面有逆向電流
C.無(wú)PN接面無(wú)逆向電流
D.有PN接面無(wú)逆向電流
A.電流增益小
B.電壓增益大
C.功率增益大
D.相移為0°
A.BJT是雙載子組件,而FET是單載子組件
B.在IC的制作上,BJT比FET占較大的面積
C.BJT與FET都是電壓控制組件
D.一般而言,F(xiàn)ET作為放大器產(chǎn)生的噪聲較低
最新試題
正弦波振蕩器主要將哪種電源轉(zhuǎn)換為特定頻率和振幅的正弦交變電壓(電流)?()
555時(shí)基電路的主要功能不包括以下哪項(xiàng)?()
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