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填空題使PN結(jié)正偏的方法是：將P區(qū)接（）電位，N區(qū)接（）電位。正偏時(shí)PN結(jié)處于（）狀態(tài)，反偏時(shí)PN結(jié)處于（）狀態(tài)。

1.問答題 電路如題圖（a）和（b）所示，各電容對(duì)信號(hào)可視為短路。

分別寫出反饋系數(shù)的表達(dá)式。

2.填空題在本征半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度；在P型半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度；在N型半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度。

3.填空題齊納擊穿時(shí)的擊穿電壓約（）V，當(dāng)反向擊穿電壓（）時(shí)，為雪崩擊穿。齊納擊穿具有（）電壓溫度系數(shù)，而雪崩擊穿具有（）電壓溫度系數(shù)。

4.問答題 電路如題圖（a）和（b）所示，各電容對(duì)信號(hào)可視為短路。

試分別判斷電路級(jí)間交流反饋的極性和類型。

圖（a）：電壓并聯(lián)負(fù)反饋
圖（b）：電流并聯(lián)負(fù)反饋

5.填空題在常溫下，硅二極管的門限電壓約（）V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約（）V，鍺二極管的門限電壓約（）V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約（）V。