現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個(gè)加數(shù)，ci為來(lái)自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義：下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。

?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少？（）

在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號(hào)無(wú)效，計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間？（）

可以通過(guò)新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）

在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會(huì)（），漏極直流電流將會(huì)（），輸入電阻將會(huì)（）。

?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???

?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。

?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào)，輸出信號(hào)為電流信號(hào)，則以下描述正確的有（）。?

?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）

I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?