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A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A.該放大器為互導(dǎo)放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
A.狀態(tài)1:飽和區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
B.狀態(tài)1:截止區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
C.狀態(tài)3:變阻區(qū);狀態(tài)4:飽和區(qū)
D.狀態(tài)3:飽和區(qū);狀態(tài)4:變阻區(qū)
最新試題
?在verilogHDL的數(shù)字表達方式用,和十進制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達方式有()。
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)?()
?CG放大器的性能描述合理的是()。
CD放大器因為源極輸出信號幾乎與柵極輸入信號變化一致,因此被稱為“源極跟隨器”。
?電路如圖所示,如果電容C2開路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(),漏極交流電壓將會(),增益將會()。
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?CD放大器的性能特征有()。?
當(dāng)VGS=0時,能夠?qū)ǖ腗OS管為()
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?