判斷題空間電荷層形成耗盡層，材料表面電導(dǎo)率降低。
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4.單項(xiàng)選擇題空位隨溫度升高而增加，在20℃和1020℃之間，由于熱膨脹bcc鐵的晶格常數(shù)增加0.51%，而密度減少2.0%，假設(shè)在時(shí)，此金屬中每1000個(gè)單位晶胞中有1個(gè)空位，試估計(jì)在時(shí)每1000個(gè)單位晶胞中有多少個(gè)空位？（）（bcc鐵單位晶胞中有2個(gè)原子，假設(shè)晶格不變）
A.71
B.21
C.11
D.61
5.單項(xiàng)選擇題單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×1019/cm3，求在273K時(shí)該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。
A.1.34×109/cm3
B.6.7×108/cm3
C.2.2×109/cm3
D.1.1×109/cm3
最新試題
關(guān)于應(yīng)變?nèi)渥兒蛻?yīng)力弛豫，以下說法正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于材料磁化過程的說法正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在不改變材料結(jié)構(gòu)的情況下，氣孔率的增大總是使材料的熱導(dǎo)率升高。
題型：判斷題
下列選項(xiàng)中不屬于超導(dǎo)體性質(zhì)的選項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
矩磁材料常用作記憶元件、開關(guān)元件、邏輯元件等等。
題型：判斷題
德拜理論認(rèn)為低溫時(shí)，C與（）成正比。
題型：單項(xiàng)選擇題
反型尖晶石結(jié)構(gòu)ZnO·2MnO·8Fe2O4的單位體積飽和磁矩為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
fcc，hcp，bcc三種不同堆積的金屬，其塑性的大小關(guān)系為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
一般情況下，當(dāng)合金形成固溶體時(shí)其導(dǎo)電性（），并遵循50%原則。
題型：單項(xiàng)選擇題
一BaTiO3（E=123GPa）陶瓷材料的氣孔率為5%，根據(jù)公式計(jì)算其彈性模量約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題