A、放置一只
B、在180°象限內(nèi)各放1只
C、至少均勻放3只
D、根據(jù)黑度要求而定
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A、俘獲燈絲發(fā)射的雜散電子
B、限制燈絲電流的最大安培值；
C、減少靶散射的二次電子在玻璃管壁上產(chǎn)生的負(fù)電荷
D、與負(fù)電位相接
A、倍壓電路
B、半波自整流電路
C、全波整流電路
D、以上都不是
A、靜電加速器
B、加旋加速器
C、直線加速器
D、以上都是
A、一個(gè)變數(shù)
B、一個(gè)常數(shù)
C、在某一黑度范圍是常數(shù)
D、以上都不是
A、底片上相鄰區(qū)域的曝光量差
B、底片上相鄰區(qū)域的黑度差
C、膠片特性曲線的r值
D、曝光曲線上的tgQ值
最新試題
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的（）
直接射向缺陷的波就是（）
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì)，其探頭（傳感器）的光敏組件的前面有（），只適用于測(cè)量黑光。
鋁合金電導(dǎo)率的渦流檢測(cè)中硬度檢驗(yàn)是一種（）方法。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在（）材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
無損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長范圍為（）mm，峰值波長為365mm。
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的（）
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
各類渦流檢測(cè)儀器的（）和結(jié)構(gòu)各不相同。