A、磁羅盤(pán)
B、場(chǎng)強(qiáng)計(jì)
C、高斯計(jì)
D、以上都對(duì)
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A、如果設(shè)備在額定狀態(tài)下工件,其絕緣電阻可以低于1MΩ
B、使用濕法可不用防塵設(shè)備,而干法最好要有防塵設(shè)備
C、球罐探傷時(shí),允許把初級(jí)電源變壓器移到罐內(nèi)
D、以上都不對(duì)
A、磁羅盤(pán)
B、場(chǎng)強(qiáng)計(jì)
C、高斯計(jì)
D、以上可以
A、放在線圈的軸線上
B、與線圈的軸線垂直放置
C、貼近線圈內(nèi)側(cè)平行于軸線
D、以上都對(duì)
A、直流電
B、單相全波整流電
C、交流電
D、三相全波整流電
A、濕法直流磁化
B、濕法交流磁化
C、干法直流磁化
D、干法交流磁化
最新試題
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
對(duì)于圓盤(pán)形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
()件對(duì)不同類(lèi)型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()