A.互為反函數(shù)
B.互為對偶式
B.相等
D.答案都不正確
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A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負(fù)載能力
D.提高抗干擾能力
A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
A.發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置，集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置，集電結(jié)反偏置
A.VD>0.5V，VD<0.7V
B.VD>0.7V，VD<0.5V
C.VD>0.7V，VD<0.7V
D.VD>0.5V，VD<0.5V
A.互非
B.對偶
C.相等
D.無任何關(guān)系
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴展可以獲得4M×8的存儲器。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入（）路編碼信號。
一個16選一的數(shù)據(jù)選擇器，其地址輸入（選擇控制輸入）端有（）個。
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？
用原碼輸出的譯碼器實現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個（）。
兩個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時，兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會（）。
試提出數(shù)字頻率計的三種設(shè)計方案，比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn)，設(shè)計方案是最佳嗎？簡述理由。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
（）在計算機系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中一個重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。