A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
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A.輸入低電平時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)，輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)，輸出為高電平。
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.晶體振蕩器
最新試題
兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)（）。
以下代碼中為無(wú)權(quán)碼的為（）。
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡(jiǎn)述理由。
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個(gè)（）。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
電可擦除的PROM器件是（）
TTL與非門(mén)輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
10-4線(xiàn)優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入（）路編碼信號(hào)。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門(mén)，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線(xiàn)譯碼器。