單項(xiàng)選擇題以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
A.8421BCD碼
B.2421BCD碼
C.余三碼
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2.單項(xiàng)選擇題7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.電
C.紫外線
D.融斷器
3.單項(xiàng)選擇題用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
A.位
B.字
C.復(fù)合
D.位或字
4.單項(xiàng)選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
5.單項(xiàng)選擇題如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
最新試題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？
題型：問答題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
題型：單項(xiàng)選擇題
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
題型：單項(xiàng)選擇題
27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
以下哪個(gè)編碼不能是二－十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼（）
題型：單項(xiàng)選擇題
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題