A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
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A.TTL集成門電路的電源電壓比CMOS集成門電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門電路的功耗比CMOS集成門電路的功耗低。
C.TTL與非門的輸入端可以懸空，CMOS與非門的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門和CMOS與非門的輸入端都可以懸空。
A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動(dòng)態(tài)特性
A.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號(hào)
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
最新試題
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是（）
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
電可擦除的PROM器件是（）
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入（）路編碼信號(hào)。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。