A.同步R-S觸發(fā)器
B.主從R-S觸發(fā)器
C.維阻R-S觸發(fā)器
D.邊沿R-S觸發(fā)器
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.基本RS觸發(fā)器
B.D觸發(fā)器
C.JK觸發(fā)器
D.T觸發(fā)器
A.主從RS觸發(fā)器
B.同步D觸發(fā)器
C.邊沿JK觸發(fā)器
D.維持-阻塞觸發(fā)器
A.主從結(jié)構(gòu)
B.邊沿結(jié)構(gòu)
C.同步結(jié)構(gòu)
D.維持-阻塞結(jié)構(gòu)
A.保持(記憶)
B.置0
C.置1
D.翻轉(zhuǎn)(計(jì)數(shù))
A.保持記憶
B.狀態(tài)不定
C.送0
D.送1
最新試題
TTL與非門(mén)輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。