A.數(shù)據(jù)容量
B.位密度
C.扇區(qū)數(shù)
D.圓周
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A.磁帶存儲(chǔ)器
B.磁盤存儲(chǔ)器
C.主存儲(chǔ)器
D.cache
A.順序存取
B.直接存取
C.隨機(jī)存取
D.相聯(lián)存取
A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類型。可隨機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是（5）。
空白（5）處應(yīng)選擇（）
A.EEPROM
B.FlashMemory
C.EPROM
D.VirtualMemory
最新試題
比較頁式虛擬存儲(chǔ)器和段式虛擬存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)。
假設(shè)某計(jì)算機(jī)中用一個(gè)字節(jié)表示一個(gè)數(shù)，那么數(shù)-117的原碼是（）反碼是（）補(bǔ)碼是（），-117與小于等于（）的數(shù)相加會(huì)產(chǎn)生溢出。
空白（1）處應(yīng)選擇（）
空白（3）處應(yīng)選擇（）
簡述RISC指令系統(tǒng)和CISC指令系統(tǒng)的區(qū)別。
如果一條流水線由3個(gè)子任務(wù)組成，它們分別需要的時(shí)間為50ms、60ms和20ms，現(xiàn)在有200個(gè)任務(wù)需要流水執(zhí)行，則需要的時(shí)間為（）
國標(biāo)碼用（）字節(jié)表示一個(gè)漢字，如一個(gè)國標(biāo)碼為3274，那么它對(duì)應(yīng)的機(jī)內(nèi)碼為（）。
空白（1）處應(yīng)選擇（）
簡述數(shù)字簽名的主要過程。
提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)并行性可以提高性能，一般有3種途徑，分別為（）（）和（）。