A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
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A.自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B.無論P型還是N型半導體,自由電子、空穴都是導電介質
C.對于P型半導體,空穴是唯一的導電介質
D.對于N型半導體,空穴是唯一的導電介質
A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強度
D.摻雜非金屬元素
A.升高/升高
B.降低/降低
C.升高/降低
D.降低/升高
A.只存在一種載流子:自由電子
B.在二極管中,N型半導體一側接出引線后,是二極管的正極
C.在純凈的硅襯底上,分散三價元素,可形成N型半導體
D.在PNP型的晶體管中,基區(qū)正是由N型半導體構成
A.空穴是多數(shù)載流子
B.在二極管中,P型半導體一側接出引線后,是二極管的正極
C.在純凈的硅襯底上,摻雜五價元素,可形成P型半導體
D.在NPN型的晶體管中,基區(qū)正是由P型半導體構成
最新試題
在三極管基本放大電路中,由于靜態(tài)工作點設置不合適而出現(xiàn)飽和失真。為了改善失真波形,方便的做法是應()。
集成運放的兩個信號輸入端分別為()。
二極管、三極管、晶閘管分別有()個PN結,分別有()個極。
晶體管具有電流放大能力,而放大能源來自地放大電路中的()。
可控硅關斷的條件是()。
在三極管基本放大電路中,由于靜態(tài)工作點設置不合適而出現(xiàn)截止失真。為了改善失真波形,方便的做法是應()。
在三極管共發(fā)射極放大電路中,如果基極偏置電流IB太大,將會產(chǎn)生非線性(),如果基極偏置電流IB太小,將會產(chǎn)生非線性()。
運算放大器構成線形反相比例運算,為了減小運算誤差,則在反相端輸入信號電壓時,其同相端應()。
已經(jīng)導通的可控硅,欲使其關斷,下列哪種方法不可取的是()。
未引入負反饋的開環(huán)工作的運放一般工作于()。