單項選擇題
如圖所示，實驗電路伏特計所測量電壓為3V，則R值應接近多少？（）（注：伏特計內(nèi)阻為20kΩ；D為硅二極管）
A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω
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1.單項選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）
A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管
2.單項選擇題半導體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
3.單項選擇題半導體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時
B.短路時
C.順向偏壓時
D.逆向偏壓時
4.單項選擇題一般硅質(zhì)二極管導通時，兩端的電位差為？（）
A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V
5.單項選擇題稽納二極管順向?qū)妷簽?？（?/a>
A.0.6V
B.3V
C.6V
D.10V
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關(guān)于RC正弦波振蕩器的說法，正確的是（）
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題