ICP焰炬的一具有適宜的激發(fā)溫度，能使試樣在此既較充分的原子化、激發(fā)、發(fā)射離子線和原子線，背景發(fā)射光譜強度又較低，一般情況下多用此區(qū)進行光譜分析。（）

ICP-AES法存在的主要干擾有（）、（）、（）、（）和（）。

ICP-AES分析中，產(chǎn)生連續(xù)背景的因素有（）、（）、（）和（）4種。

ICP發(fā)射光譜技術(shù)具有靈敏度高、精密度高、基體干擾少、線性范圍寬和可以（）同時分析的優(yōu)點。

ICP儀炬管的外管進（），中管進（），內(nèi)管進（）。

ICP-AES法測定時，（）法是實際應(yīng)用最廣泛的校正干擾的數(shù)學(xué)法，多數(shù)ICP光譜儀軟件中采用這種方法。

通入ICP炬管的（）起冷卻保護炬管的作用，（）用于輸送樣品，（）提供電離氣體（等離子體）。

ICP炬管是由石英制成的（）層同心管組成。

等離子發(fā)射光譜通常由化學(xué)火焰、電火花、電弧、激光和（）激發(fā)而獲得。

電感耦合等離子體焰炬自下而上溫度逐漸升高。