A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±5%
E.±10%
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A.當(dāng)SSD改變時(shí),TMR不變
B.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR增大
C.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR減小
D.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR增大
E.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR減小
A.沿軸向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
B.沿橫向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
C.沿軸向分布的電場(chǎng)和沿橫向分布的磁場(chǎng)
D.沿橫向分布的電場(chǎng)和沿軸向分布的磁場(chǎng)
E.沿軸分布方向相反的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
A.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng),與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng),與受熙、體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
C.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
E.只和受照最大劑量有關(guān)
A.能量越高,射野越小,表面劑量越高
B.能量越高,射野越大,表面劑量越高
C.能量越低,射野越小,表面劑量越高
D.能量越低,射野越大,表面劑量越高
E.能量影響相對(duì)較小,射野大小對(duì)表面劑量影響很大
A.對(duì)于60Coγ射線,任何深度處等劑量由線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而增加
B.對(duì)于60Coγ射線,任何深度處等劑量曲線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而減少
C.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于均整塊的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
D.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于散射箔的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
E.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于光子線的靶設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
最新試題
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
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帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。