A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.接入加速電容
D.用大β的三極管
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A.高次諧波頻率高
B.基波成分多
C.諧波少
D.基波成分少
A.T1>T2
B.T1>>T2
C.T1<<T2
D.T1<T2
A.放大和飽和
B.飽和和截止
C.放大和截止
A.近似三角波
B.尖峰波
C.矩形波
D.正弦波
A.矩形波
B.尖峰波
C.近似三角波
D.正弦波
最新試題
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
?10進(jìn)制計數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()
在對數(shù)字鐘計時、校時模塊進(jìn)行仿真時,設(shè)秒信號的周期為10ns,若要觀察24時制計數(shù)是否正確,那么在復(fù)位信號無效,計時使能信號有效的情況下,仿真需運(yùn)行多長時間?()
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時,柵極直流電壓將會(),漏極直流電流將會(),輸入電阻將會()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時,溝道夾斷點向漏極移動。
?CD放大器的性能特征有()。?
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義,VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是()。
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。