A.相關(guān)曲線
B.跟隨曲線
C.標(biāo)準(zhǔn)曲線
D.校深
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A.絕對(duì)深度
B.相對(duì)深度
C.斜井垂直深度
D.水平井垂直深度
A.絕對(duì)深度
B.相對(duì)深度
C.斜井垂直深度
D.絕對(duì)—相對(duì)深度
A.絕對(duì)深度
B.相對(duì)深度
C.斜井垂直深度
D.自動(dòng)深度
A.絕對(duì)深度、相對(duì)深度
B.人工深度
C.儀器的深度
D.相對(duì)深度
A.各次測(cè)量電纜受力不同
B.井口置零不當(dāng)
C.探測(cè)儀記錄點(diǎn)的深度延遲計(jì)算有誤
D.各種測(cè)井曲線的測(cè)量原理不同
最新試題
在相同的外加磁場(chǎng)中,不同的原子核的進(jìn)動(dòng)頻率()。
核磁共振測(cè)井觀察的原子核具有選擇性,觀測(cè)地層流體中的()。
超聲波成像測(cè)井的影響因素為工作頻率、()、測(cè)量距離、目的層的表面結(jié)構(gòu)、目的層的傾角和巖石的波阻抗差異。
電容法持水率計(jì)的現(xiàn)場(chǎng)刻度要求是什么?
井壁微電阻率掃描成像儀器的電扣越小,分辨率(),井壁電阻率掃描圖像越清晰。
在()的概念中,沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是:沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素,沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。
核磁共振弛豫包括()。
微電阻率成像測(cè)井按井眼條件選擇扶正器,測(cè)井時(shí)極板壓力()。
微電阻率電成像反映地層特征(裂縫、溶洞、層界面等)清晰,與聲成像具有()。
簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。