單項(xiàng)選擇題

下圖中電壓V和電流I相位關(guān)系是()。

A.同相
B.相位相差45°
C.相位相差90°
D.相位相差180°


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題長(zhǎng)實(shí)心棒和長(zhǎng)薄壁管的界限頻率方程和阻抗圖是()。

A.不同的
B.相同的
C.類(lèi)似的
D.無(wú)關(guān)的

3.單項(xiàng)選擇題一個(gè)實(shí)心非磁性棒的阻抗圖中,橫坐標(biāo)給出的是()。

A.絕對(duì)導(dǎo)電率
B.歸一化電阻
C.絕對(duì)電感
D.歸一化電感

4.單項(xiàng)選擇題一個(gè)實(shí)心非磁性棒的阻抗圖中,f/fg變化()。

A.僅會(huì)使線圈兩端的電壓大小發(fā)生變化
B.僅會(huì)使線圈兩端的相位發(fā)生變化
C.會(huì)使線圈兩端的電壓大小和相位都發(fā)生變化
D.線圈兩端的電壓大小和相位都不發(fā)生變化

最新試題

JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定不允許存在的缺陷有哪些?

題型:?jiǎn)柎痤}

對(duì)某非磁性材料進(jìn)行渦流檢測(cè)時(shí),已知μr=1,f=2kHz,ρ=2O×1O-6Ω·m,試計(jì)算滲透深度值為多少?

題型:?jiǎn)柎痤}

新置的Ir192γ射線源,其活度為40Ci,現(xiàn)今時(shí)隔300天,已知,Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度?該源新置時(shí),對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min,若所有條件不變,現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘?

題型:?jiǎn)柎痤}

下圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來(lái)測(cè)定()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

寫(xiě)出VC-S滲透探傷的工藝流程。

題型:?jiǎn)柎痤}

有一臺(tái)×光機(jī),在×光機(jī)背面距焦點(diǎn)1米處的射線照射率為8.35mR/h,以每天工作8小時(shí)計(jì),在不超過(guò)每天16.7毫雷姆時(shí),放射人員的安全距離是多少?

題型:?jiǎn)柎痤}

以通有交流電的圓筒型線圈中放有長(zhǎng)導(dǎo)電圓柱體試件為例,簡(jiǎn)述福斯特模型的基本內(nèi)容。說(shuō)明什么叫做有效磁導(dǎo)率?并寫(xiě)出其數(shù)學(xué)表達(dá)式。

題型:?jiǎn)柎痤}

下面哪種是圍繞線圈在一個(gè)均勻的導(dǎo)體中感應(yīng)出的渦流的一個(gè)性質(zhì)()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

用××2005型×光機(jī)180KV管電壓透照Φ51*3.5的管子環(huán)焊縫,已知焊縫寬度b=10mm,焦點(diǎn)尺寸3*3,試求①滿(mǎn)足Ug=3Ui,橢圓開(kāi)口間距g=5mm時(shí)的透照距離L1和透照偏移距離S(設(shè)Ui=0.0013V0.8,膠片離管子底面距離3mm)②若透照距離L1=800mm,則此時(shí)Ug為Ui的幾倍?

題型:?jiǎn)柎痤}

造成相同的x射線機(jī)曝光曲線不完全相同的原因是什么?

題型:?jiǎn)柎痤}