A.導(dǎo)體表面下的渦流最弱
B.導(dǎo)體內(nèi)的渦流相位是變化的
C.渦流沿直線流動(dòng)
D.沿線圈軸線的渦流最大
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A.渦流的數(shù)值大于線圈中的電流值
B.渦流受試件磁導(dǎo)率的影響
C.渦流在導(dǎo)體中無功率消耗
D.以上都不是
A.只包含缺陷信息而不顯示磁場強(qiáng)度的變化
B.不包含串音發(fā)生的信號
C.不包含電噪聲
D.以上都是
A.物體變熱，不能得到信息
B.插入物體抵消了所有信息
C.插入物體會使二次磁通量增強(qiáng)，從而產(chǎn)生一個(gè)新的磁通量，可用它提供試驗(yàn)信息
D.從二次電壓中減去一次電壓，便得到凈電壓
A.渦流
B.一次線圈
C.發(fā)生器
D.以上都是
A.可以由若干個(gè)參數(shù)產(chǎn)生
B.可依據(jù)有關(guān)的變量進(jìn)行選擇
C.對不同參數(shù)的變化，響應(yīng)的相位和大小不同
D.以上都是
最新試題
渦流的響應(yīng)（）。
圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來測定（）。
一個(gè)實(shí)心非磁性棒的阻抗圖中，界限頻率fg用哪一個(gè)公式計(jì)算（）。
試驗(yàn)線圈的感抗可用×L=2πfL公式計(jì)算，阻抗可用Z=√Xl2+R2公式計(jì)算。
簡述滲透探傷方法的選擇原則。
下面哪種是圍繞線圈在一個(gè)均勻的導(dǎo)體中感應(yīng)出的渦流的一個(gè)性質(zhì)（）。
阻抗圖中，實(shí)線曲線是什么值不同的曲線（）。
散射線忽略不計(jì)，當(dāng)平板透照厚度的減薄量相當(dāng)于半價(jià)層的1/×?xí)r，則膠片接受的射線照射量將增大百分之幾？
以通有交流電的圓筒型線圈中放有長導(dǎo)電圓柱體試件為例，簡述福斯特模型的基本內(nèi)容。說明什么叫做有效磁導(dǎo)率？并寫出其數(shù)學(xué)表達(dá)式。
下圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來測定（）。