如下圖所示電路中,設(shè)電路中VCC=12V,各個(gè)電容的容量足夠大,Rb1=Rc=RL=5 kΩ,Rb2=25 kΩ,Re=1 kΩ,Rf=300Ω,晶體管的β=100,UBE=0.7V,rbb’=100Ω。
(1)估算電路靜態(tài)工作點(diǎn);
(2)畫出簡(jiǎn)化的h參數(shù)等效電路;
(3)計(jì)算電壓放大倍數(shù)Au、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。
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最新試題
?CG放大器的性能描述合理的是()。
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào),輸出信號(hào)為電流信號(hào),則以下描述正確的有()。?
在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí),設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns,若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確,那么在復(fù)位信號(hào)無效,計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下,仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間?()
CD放大器因?yàn)樵礃O輸出信號(hào)幾乎與柵極輸入信號(hào)變化一致,因此被稱為“源極跟隨器”。
當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
?某次電路實(shí)驗(yàn)中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實(shí)驗(yàn)。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中,該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請(qǐng)問此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí),柵極直流電壓將會(huì)(),漏極直流電流將會(huì)(),輸入電阻將會(huì)()。
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()