單項選擇題
右圖之電路,流過稽納二極管之電流約為()
A.3.7mA
B.3.1mA
C.1.5mA
D.0.63mA
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1.單項選擇題半導(dǎo)體PN,斷路時出現(xiàn)空乏區(qū)是為了()
A.制止擴(kuò)散電流
B.制止漂移電流
C.增加擴(kuò)散電流
D.增加漂移電流,以達(dá)熱平衡
2.單項選擇題光電二極管之逆向電流與入射光強(qiáng)度成()
A.正比
B.平方成正比
C.立方成正比
D.平方成反比
3.單項選擇題二極管由P型材料與N型材料接合而成,當(dāng)二極管被反偏時的電流稱為逆向飽和電流,逆向飽和電流的大小主要與下列何者有關(guān)?()
A.二極管所在環(huán)境的溫度
B.反向偏壓的大小
C.加反向偏壓的時間
D.與反向偏壓的大小、加反向偏壓的時間同時有關(guān)
4.單項選擇題以GaAs為材料作之晶體管比Si材料作之晶體管,能在較高頻率使用,主要是因為()
A.濃度較高
B.帶電量較大
C.移動率較快
D.以上皆非
5.單項選擇題
如圖所示,二極管并聯(lián)可增加耐流能力,而每一二極管又串聯(lián)一電阻R的目的是()
A.限流
B.平衡兩二極管通過之電流
C.增加二極管耐壓能力
D.降低二極管消耗之功率
E.提升二極管之整流效率
最新試題
低頻功率放大器的基本要求通常不包括以下哪一項?()
題型:單項選擇題
下列哪個描述是RS觸發(fā)器的一個應(yīng)用場景?()
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