A.基極電流
B.集電極電流
C.發(fā)射極電流
D.反向飽和電流
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A.1
B.2
C.3
D.4
A.發(fā)射結(jié)由P指向N
B.集電結(jié)由P指向N
C.發(fā)射結(jié)由N指向P
D.集電結(jié)由N指向P
穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如圖所示，其中UZ1=6V，UZ2=7V，且具有理想特性。由此可知輸出電壓Uo為（）
A.0
B.6V
C.1V
D.7V
A.單向?qū)щ娦?br/>B.頻率特性
C.非線性
D.結(jié)電容隨反偏電壓大小可變的特性
最新試題
?CD放大器的性能特征有（）。?
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
CG放大器因其輸入電阻過(guò)小，因此沒(méi)什么用處。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)？?（）
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
?verilog語(yǔ)法中，間隔符號(hào)主要包括（）。
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個(gè)加數(shù)，ci為來(lái)自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義：下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。