A、入射聲壓
B、反射聲強(qiáng)
C、界面兩側(cè)的聲阻抗差異
D、界面兩側(cè)的厚度差異
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A、約等于近場長度
B、約等于近場長度的0.6倍
C、約為近場長度的1.6倍
D、以上都可能
A、因折射而發(fā)散
B、進(jìn)一步集聚
C、保持原聚焦?fàn)顩r
D、以上都可能
A、反射橫波與入射波平行但方向相反
B、入射角為30°時(shí)的反射率最高
C、入射角為45°時(shí)的反射率最高
D、入射角為60°時(shí)的反射率最低
A、大于60°
B、等于60°
C、小于60°
D、以上都可能
A.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲阻抗
B.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲速
C.界面兩側(cè)介質(zhì)的衰減系數(shù)
D.以上全部
最新試題
廢舊藥液應(yīng)采用專用容器收集,定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
一次完整的補(bǔ)焊過程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
X射線檢測圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確,因此焊接缺陷無論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測。
對于圓柱導(dǎo)體的外通過式線圈,其阻抗變大的情況有()
產(chǎn)品焊接接頭最終質(zhì)量經(jīng)X射線檢驗(yàn)合格后不得再實(shí)施影響接頭性能的加工(如校形、修刮、重熔等),否則應(yīng)重新申請進(jìn)行X射線檢測。
對含有內(nèi)穿過式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()
在射線照相檢驗(yàn)中,隨著射線能量的提高,得到的圖像不清晰度也將增大。
對焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品,工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定,檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn),檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn),否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測。