A.環(huán)縫雙壁單影透照,搭接標(biāo)記放在膠片側(cè);
B.環(huán)縫單壁外透法,搭接標(biāo)記放在膠片側(cè);
C.縱縫單壁外透法,搭接標(biāo)記放在射源側(cè);
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。
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A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間;
B.管電壓、曝光量、焦距
C.管電流、曝光時(shí)間、焦距;
D.底片黑度、曝光量、焦距。
A.較高電壓、較短時(shí)間;
B.較高電壓、較長(zhǎng)時(shí)間;
C.較低電壓、較短時(shí)間;
D.較低電壓、較長(zhǎng)時(shí)間。
A.提高橫向裂紋檢出率;
B.減小幾何不清晰度;
C.增大厚度寬容度;
D.提高底片對(duì)比度。
A.鉛箔劃傷部位厚度減薄,對(duì)射線吸收減小,從而使該處透射線時(shí)增多;
B.劃傷使鉛箔表面增大,因而發(fā)射電子的面積增大,增感作用加強(qiáng);
C.深度劃傷與膠片之間的間隙增大,散射線增加;
D.以上都對(duì)。
A.應(yīng)在黑度軸上有些重合;
B.在黑度軸上無(wú)需重合;
C.應(yīng)在1gE軸上有些重合;
D.在1gE軸上無(wú)需重合。
最新試題
廢舊藥液應(yīng)采用專(zhuān)用容器收集,定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查,并出具X光底片復(fù)查報(bào)告,復(fù)查無(wú)遺留問(wèn)題方可進(jìn)行試壓。
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。
一次完整的補(bǔ)焊過(guò)程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。
航天無(wú)損檢測(cè)人員的資格分為三個(gè)等級(jí):Ⅰ級(jí)為初級(jí),Ⅱ級(jí)為中級(jí),Ⅲ級(jí)為高級(jí)。其中Ⅱ級(jí)人員應(yīng)具備的能力有()。
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。
觀察底片時(shí),為能識(shí)別缺陷圖像,缺陷圖像對(duì)比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識(shí)別閾值。
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
X射線檢測(cè)圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確,因此焊接缺陷無(wú)論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測(cè)。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()