A.20分鐘
B.底片通透即可
C.通透時(shí)間的2倍
D.30分鐘
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A.使未曝光的溴化銀粒子脫落；
B.驅(qū)除附在底片表面的氣孔，使顯影均勻，加快顯影；
C.使曝過(guò)光的溴化銀加速溶解；
D.以上全是。
A.環(huán)縫雙壁單影透照，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
B.環(huán)縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
C.縱縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在射源側(cè)；
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。
A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間；
B.管電壓、曝光量、焦距
C.管電流、曝光時(shí)間、焦距；
D.底片黑度、曝光量、焦距。
A.較高電壓、較短時(shí)間；
B.較高電壓、較長(zhǎng)時(shí)間；
C.較低電壓、較短時(shí)間；
D.較低電壓、較長(zhǎng)時(shí)間。
A.提高橫向裂紋檢出率；
B.減小幾何不清晰度；
C.增大厚度寬容度；
D.提高底片對(duì)比度。
最新試題
增加工藝性透視有利于保證焊接質(zhì)量，因此盡可能增加工藝性透視次數(shù)。
觀察底片時(shí)，為能識(shí)別缺陷圖像，缺陷圖像對(duì)比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識(shí)別閾值。
對(duì)于直徑Φ50mm導(dǎo)管環(huán)焊縫，采用的透照方式為（）。
對(duì)含有內(nèi)穿過(guò)式線圈的薄壁管，影響其阻抗變化的因素有（）
產(chǎn)品焊接接頭最終質(zhì)量經(jīng)X射線檢驗(yàn)合格后不得再實(shí)施影響接頭性能的加工（如校形、修刮、重熔等），否則應(yīng)重新申請(qǐng)進(jìn)行X射線檢測(cè)。
廢舊藥液應(yīng)采用專(zhuān)用容器收集，定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見(jiàn)的要求，經(jīng)表面檢驗(yàn)合格，申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
下面給出的射線檢測(cè)基本原理中，正確的是（）。