單項(xiàng)選擇題二極管的動(dòng)態(tài)電阻rd為()
A.nVT/Is
B.VD/ID
C.VT/1mA
D.nVT/ID
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1.單項(xiàng)選擇題
如圖所示,實(shí)驗(yàn)電路伏特計(jì)所測(cè)量電壓為3V,則R值應(yīng)接近多少?()(注:伏特計(jì)內(nèi)阻為20kΩ;D為硅二極管)
A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω
2.單項(xiàng)選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄?()
A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管
3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)(depletion layer),利用空乏區(qū)可做成()
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)(depletion layer),在何種情況下更明顯()
A.斷路時(shí)
B.短路時(shí)
C.順向偏壓時(shí)
D.逆向偏壓時(shí)
5.單項(xiàng)選擇題一般硅質(zhì)二極管導(dǎo)通時(shí),兩端的電位差為?()
A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V
最新試題
74LS163的計(jì)數(shù)功能是如何實(shí)現(xiàn)的?()
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下列哪項(xiàng)描述最符合傳感器的定義?()
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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
555時(shí)基電路在雙穩(wěn)態(tài)模式下,其輸出電平如何變化?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題