A.高,高
B.高,低
C.低,高
D.低,低
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A.高,高
B.高,低
C.低,高
D.低,低
A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
最新試題
?已知Nexys4開(kāi)發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來(lái)產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào),請(qǐng)問(wèn)該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
?TTL或非門(mén)組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象?()
CG放大器因其輸入電阻過(guò)小,因此沒(méi)什么用處。
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫(huà)出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()
?某次電路實(shí)驗(yàn)中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實(shí)驗(yàn)。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。