A、第三臨界角
B、第一臨界角
C、第二臨界角
D、半擴(kuò)散角
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A、第二臨界角
B、第一臨界角
C、第三臨界角
D、以上都不對(duì)
A、橫波波全反射
B、縱波波全反射
C、表面波全反射
D、以上都不對(duì)
A、防止產(chǎn)生雜波
B、使脈沖變窄
C、使盲區(qū)變小
D、以上都是
A、波長(zhǎng)短
B、聲束窄
C、能量集中
D、以上都對(duì)
A、探測(cè)深度大
B、檢測(cè)速度快
C、費(fèi)用低
D、以上都對(duì)
最新試題
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量()測(cè)量功能的通用型儀器。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。